波长公司现代理国外高品质硅,如有需要,请与我们联系洽谈。

硅，通常应用于中红外（MIR）波段—3-5um。但事实上，这种材料可用于更加广泛的工作波长范围， 从1.2um到1000um 甚至更高。
为了提高在工作波长范围内的透过率，我们生产出了三个等级的光学材料：光学卓克拉尔斯基硅（OCz-Si），浮区硅（FZ-Si），高电阻率浮区硅（HRFZ-Si）。对于硅种类的选择，取决于波长范围、元件厚度和具体应用。我们应用适当结构的晶体（生产技术，导体类型，电阻），以保证得到最佳的透过率。正确选择材料的主要原则如下。还须注意，透过率不依赖于晶体轴向而改变。
在图1中，透射光谱在近红外和中红外范围内，你可以看到，在3-5um范围，所有规格的硅和电阻之间，透过率没有什么区别。同时，所有规格的硅的晶体吸收峰值在6.5-25um范围内被所规定的晶格吸收。OCz-Si具有5.8-9.1um的额外高峰，在19.4um处被氧气诱导并震动吸收。由于氧浓度稀薄（OCz-Si, 10E16 cm-3---10E18 cm -3），FZ-Si在氧气峰值处可以避免被吸收，可以应用于更多关键应用领域。

图1， 硅在1-25um特定范围的透过率，箭头指向氧气吸收峰值，示例厚度为5mm
晶格吸收，以及氧吸收，取决于光在元件里的辐射（大体上在于元件的厚度），不依赖于电阻率。因此，在6-25um范围内，厚度是一个非常关键的参数。在图2中，展示的是不同厚度的展透过率。可以看到在3-5um范围内，通常用于高温测定法和热摄影术，（甚至6.5um），透过率依赖于厚度的程度不是很大。更长的波长吸收厚度变得比较重要，而且透过率很大程度上受厚度影响。5mm厚的OCz-Si样品在8-10um的平均透过率低于32%（FZ-Si, 大约38%），10-14um波段，透过率将只有18%（OCz-Si 与 FZ-Si结果相同）。
然而，薄的厚度或大约1mm的硅窗口片也可以应用于7-14um“空气窗口片”。在这个范围内，厚度0.5mm的OCz-Si窗口片平均透过率可以超过51%，由于避过氧吸收线，FZ-Si可以得到更高一点的透过率（51.9%）。

图2. 在各种厚度下OCZ-Si和FZ-Si的传输率。
在图3中，向您展示的是远红外谱区的透过率。 我们注意到，在开始的21um处，具有相同电阻性和导电性的FZ-Si和OCz-Si的透过率并没有多大区别，对于这一类（50um或更高）的应用，我们提供的HRFZ-Si在1000um处也可保持50-54%的透过率。（可以根据客户需求，在更长的波长要求下定制）。具有电阻性30kOhm x cm的材料可用。

图3，在16-1000um的透过率，样品厚度- 5mm
应用于光学产品的晶体最大尺寸如下所示：

• OCz-Si – 150 mm (客户可要求至 220mm)
• Fz-Si - 100 mm (客户可要求至125 mm);
• HRFZ-Si - 100 mm (客户可要求至125 mm)

物理特性

硅在各种波长下的折射率

参考公式，ε0 = 11.67，静态介电常数，波长无限远处，硅折射率参数接近3.416（在我们的示例中1000um或更远） 。