应用于：
半导体晶元光刻和高精度PCB板曝光等。以LED单波段或混合波段作为光源，采用了阵列光学镜片整形后，输出均匀的平行光组成面光源（矩形或者特定形状光斑），实现波长365nm的紫外光（313nm或者405nm、435nm混合光），光束垂直照射于半导体光刻机掩膜板进行芯片光曝光，光能利用率高，光强分布均匀。
规格及参数：
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序号 |
项目 |
性能要求 |
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1 |
型号 |
UVLED-365-6-400-WC/AC |
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2 |
光源 |
LED |
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3 |
工作波长 |
主波长365nm（可定制405nm、435nm或混合波段） |
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4 |
照明尺寸 |
>160x160mm（可定制4寸--12寸曝光面积） |
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5 |
照明不均匀性 |
<2% |
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6 |
照明强度 |
>30mw/cm2 @365nm（风冷）/>100mw/cm2 @365nm（水冷） |
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7 |
准直角 |
<2°（可定制） |
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8 |
倾斜角 |
<0.3° |
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9 |
工作距 |
200-400mm（可根据客户需求进行定制） |
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10 |
外形尺寸 |
长宽高≤550*350*600mm |
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11 |
能量调节 |
调节控制LED功率（本地或远程） |
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12 |
能量检测 |
光路能量实时监测 |
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